Idea taka zapisana jest w nocie aplikacyjnej AN2594.

Wymaga ona lekkiego wyjaśnienia (mam nadzieję, że dobrze zrozumiałem to co autorzy mieli na myśli i że nie popełnię jakiegoś błędu).

Otóż według rozwiązania zaproponowanego w tej nocie pamięć EEPROM jest emulowana w postaci dwóch lub więcej stron pamięci FLASH. Strony rozpoczynają się od adresu EEPROM_START_ADDRESS (plik eeprom.h) i dla procesorków podrodziny LOW_DENSITY i MEDIUM_DENSITY mają rozmiar 1 kB, a dla podrodziny HIGH_DENSITY 2kB.

Każda strona posiada na początku dwa bajty statusu: ERASED (pusta strona), RECEIVE_DATA (strona pobiera dane z innej pełnej strony), VALID_PAGE (strona zawiera ważne dane).

Dane zapisywane są do kolejnych komórek danej strony w formacie 2 bajty danych + 2 bajty adresu wirtualnego tych danych, aż do zapełnienia danej strony.

Tak np. wyglądać będą kolejne komórki pamięci zapisywane kolejnymi wartościami zmiennej o tym samym adresie wirtualnym np. 0x0005

Strona	Adres fizyczny	Wartość zmiennej	Adres wirtualny
0	0x08010002	wartość1	0x0005
0	0x08010006	wartość2	0x0005
0	0x0801000A	wartość3	0x0005

Przy odczycie wartości o adresie wirtualnym 0x0005 strona zostanie przeszukana i zrwrócona zostanie ostatnia wartość (wartość3) o tym adresie (wartość ostatnio zapisana).

Gdy będziemy chcieli zapisać następną daną o innym adresie wirtualnym (np. 0x0006) to zostanie ona wpisana w następne wolne miejsce, czyli:

Strona	Adres fizyczny	Wartość	Adres wirtualny
0	0x0801000E	wartość1	0x0006

W momencie gdy strona się zapełni następuje skopiowanie najbardziej aktualnych wartości jej zmiennych do następnej wolnej strony, po czym zostaje ona skasowana. W nowej stronie mamy następujące wpisy:

Strona	Adres fizyczny	Wartość	Adres wirtualny
1	0x08010402	wartość3	0x0005
1	0x08010406	wartość1	0x0006

Następne wpisy trafiają już do strony nr 1 (druga strona), aż znowu ona się nie zapełni.

Wirtualne adresy  zmiennych zawarte są w tablicy VirtAddVarTab[NumbOfVar].

NumbOfVar zawiera całkowitą liczbę zmiennych, wartość ta jest konieczna do prawidłowego kopiowania stron pamięci.

Na początku programu trzeba odblokować pamięć FLASH (FLASH_Unlock()) oraz zainicjować pamięć EEPROM (EE_Init()).

Przykładowy zapis do pamięci wygląda następująco:

• EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[index],zmienna);

A tak wygląda odczyt:

• EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[index],&zmienna);

Rozwiązanie to ma tę zaletę, że gdyby zapisywać cały czas tę samą fizyczną komórkę pamięci FLASH to za każdym razem przez zapisem należałoby ją wykasować (w zasadzie kasowanie w STM32 dotyczy całej strony, a nie pojedynczej komórki), a tak kasowanie następuje dopiero po zapełnieniu strony.

Wadą jest to, że do pamięci oprócz wartości zapisywany jest też jej adres wirtualny, więc tracimy na pojemności.